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技术参数：
• Ic(A),Tc=80℃ 150
• Vce(sat),Max(V) 2.3
• Ton(us) 0.31
• Toff(us) 0.95
• Rth(j-c),K/W 0.135
• Pc(W) 1100
• 封装 62mm
• 电路结构 半桥
性能概要：
• 提高工作温度T(vj op)
• 无可比拟的耐用性
• V（CESAT）具有正温度系数
• 低V（CESAT）
• 4KV AC 1分钟绝缘
• CTI>400
• 高爬电距离和电气间隙
• 隔离底板
• 标准封装
优点：
• 灵活性
• **的电气性能
• **高的可靠性
目标应用：
• 电机控制和驱动
• 风能系统解决方案
高能效组件和子系统的系统的高可靠性
• 太阳能系统解决方案
对于完整的太阳能电力解决方案的主导产品
• 牵引